О компании:

Акционерное общество «Светлана-Полупроводники» по разработке и производству интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.

АО «Светлана-Полупроводники — одно из первых предприятий — изготовителей серийных отечественных транзисторов, в настоящее время выпускающее маломощные, высокочастотные биполярные транзисторы, логические интегральные микросхемы, биполярные микросхемы интерфейсов, интегральные микросхемы аналоговых ключей и мультиплексоров; радиационно-стойкие микросхемы аналоговых ключей и мультиплексоров, сложные микропроцессоры.

Основное применение выпускаемых изделий:

— Многоканальные системы сбора, обработки и передачи информации;

— Спутниковые, наземные, бортовые средства связи;

— Радиоэлектронная аппаратура специального назначения;

— Радиолокация;

— Навигация;

— Авиационное оборудование;

— Системы опознавания.

История:

22 декабря 1955 г. Приказ об организации выпуска на заводе «Светлана» полупроводниковых приборов — германиевых сплавных транзисторов.
1956 г. Организация серийного производства и выпуск первых в стране сплавных транзисторов типа П1 и П2.
1957 г. Подразделение по разработке и производству полупроводниковых приборов начинает самостоятельно разрабатывать и обеспечивать производство различных типов маломощных высокочастотных и малошумящих германиевых и кремниевых транзисторов. Одновременно проводит работы по созданию транзисторов повышенной надёжности и долговечности для связной аппаратуры «Лиман», «Енисей» за которые впоследствии разработчики были удостоены Государственной премии СССР. Ряд маломощных высокочастотных транзисторов был использован при создании аппаратуры первых космических спутников.
1963 г. Постановлением Совмина СССР было организовано Специальное конструкторско-технологическое бюро (СКТБ).
1964 г. Широкое внедрение планарной технологии – переход от единичного к массовому изготовлению транзисторов.
1965 — 1966 г.г. Окончание строительства нового корпуса для полупроводникового производства, ввод линий по производству сплавных и планарных транзисторов.
1965 — 1970 г.г. На базе планарной технологии были разработаны транзисторы 2Т201, 2Т306, 2Т307, 2Т316, 2Т324, 2Т368, 2Т371, 2Т382, 2Т399 и т.д., что позволило перекрыть большой спектр применения отечественных электронных компонентов в радиоэлектронной промышленности. Эти приборы до сих пор имеют широкое распространение в разных отраслях промышленности стран СНГ и России.
1970 г. Разработка и производство цифровых и аналоговых интегральных микросхем на базе биполярной и КМОП – технологий. Освоение и массовый выпуск таких серий как 187, 100, 500, 700, 1500, 555, 533, 559, 190, 590, 1127 и т.д. позволили создать не имеющие аналогов системы. Среди них – высокопроизводительные вычислительные комплексы «Эльбрус» — управляющие комплексы для систем С-300, электронно-вычислительные машины серий «Ряд» и «Булат», вычислительные и управляющие системы для всех космических спутников, в том числе для космического корабля «Буран».
1980 г. Разработка и освоение новых приборов, которые по своему техническому уровню полностью соответствовали техническому уровню зарубежных аналогов, выпускаемых ведущими зарубежными производителями – фирмами США Analog- Devices, Siliconix, Harris Semiconductor. Открытие цехов полупроводникового производства на предприятиях в городах Петрозаводске, Малой Вишере, Бабаево, и открытие филиала полупроводникового производства в городе Устюжна Вологодской области.
1990 г. Переход на новые экономические условия. Создание в 1993 году акционерного общества закрытого типа «Светлана-Полупроводники». Накопленный опыт коллектива позволил реформировать производство и не потерять ни одно из развивавшихся на «Светлане» полупроводниковых направлений.
2000 — 2009 г.г. В состав предприятия вошел дизайн-центр — отделение разработки и исследований сверхбольших интегральных схем (СБИС), проектирующее сложные микропроцессоры с оригинальной структурой и стандартным набором команд, таких как адаптер цифровых каналов ввода-вывода 1875 ВВ1Т, и 32-х разрядный микроконтроллер 1875 ВД2Т. Производство продолжает выпускать полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы по традиционной для предприятия номенклатуре: маломощные, высокочастотные биполярные транзисторы п-р-п и р-п-р типа, логические интегральные микросхемы серий 533, 555; биполярные микросхемы интерфейсов RS-232, RS-455; интегральные микросхемы аналоговых ключей и мультиплексоров серий 190, 590, 591; радиационно-стойкие микросхемы аналоговых ключей и мультиплексоров серии 1127. Предприятие полностью обеспечивает потребности предприятий производителей РЭА по закрепленной за ним номенклатуре, в том числе создателей специальной техники «Тополь-М», «Булава» и космических спутниковых систем «Глонасс», «Экспресс».
2010 — 2012 г.г. Переоснащение цеха планарного производства технологическим оборудованием, ввод в эксплуатацию растрового электронного микроскопа с микроанализом, для контроля качества разрабатываемых и выпускаемых серийным производством микросхем и транзисторов. Продолжение работ по повышению радиационной стойкости микросхем 590 и 1127. Переход к производству микрочипов для экспресс-анализа (ПЦР) физиологических параметров организма и диагностики в медицине и народном хозяйстве.

Структура АО «Светлана-Полупроводники»:

Специальное конструкторское технологическое бюро (СКТБ):

Специальное конструкторское технологическое бюро по разработке полупроводниковых приборов и интегральных схем.

До настоящего времени СКТБ разработало 35 базовых кристаллов транзисторов и более 100 базовых кристаллов интегральных схем. На их основании – в разных конструктивных исполнениях и с различными видами приемки – создано более 100 типо-номиналов транзисторов и около 400 типов интегральных схем.

Традиционно специализируется на разработке конструкции и технологии изготовления высокочастотных, малошумящих полупроводниковых приборов, биполярных логических микросхем серии 533, интерфейсных микросхем серии 559, микросхем аналоговых ключей и мультиплексоров серии 190, 590, 591, а также радиационно-стойких микросхем аналоговых ключей и мультиплексоров серии 1127.

В ряде микросхем разработанных в последнее время использованы технологии с минимальным размером элемента минимальные размеры элемента – до 0,35 мкм. Разработки СКТБ выпускаются серийно и нашли широкое применение в народно-хозяйственной аппаратуре, в военной и космической технике, в телекоммуникационных и вычислительных системах, в высоконадежных системах контроля и управления энергетическими (в т.ч. атомными) объектами.

В настоящее время СКТБ сосредоточены на двух направлениях:

— разработка сложных интегральных схем МОП-технологии – ключей, коммутаторов, коммутаторов с дешифратором, ключей со схемой управления, микроконтроллеров, адаптеров цифровых каналов, микропроцессорных СБИС и сложно-функциональных блоков для создания «систем на кристалле»;

— разработка на базе микроэлектронной технологии новых видов изделий, например, реактора для экспресс-анализа крови.

Разработка новой продукции проводится по маршруту, опирающемуся на современные программно-аппаратные средства проектирования.

Процесс проектирования включает в себя:

— создание схемотехнических решений, обеспечивающих соответствие будущих изделий требованиям ТЗ в полном диапазоне допустимых напряжений при воздействии ВВФ, в т.ч. радиации;

— разработку технологического процесса, включая перечень контрольных точек и критериев годности на определенных стадиях технологического процесса;

— разработку топологии;

— изготовление комплекта фотошаблонов (для нужд собственного и сторонних производств).

Отделение по разработке сверхбольших интегральных схем (ОРСБИС)

Разработчики отделения имеют многолетний опыт проектирования микросхем, начиная с Р- канальных микропроцессорных комплектов микросхем для массовых серий одноплатных микро- ЭВМ до современных однокристальных микроконтроллеров, разрабатываемых на основе отечественных КМОП технологий. Значительная часть работ представляет собой оригинальные проекты без копирования зарубежных аналогов. В настоящее время отделение специализируется в разработке микросхем следующих типов:

— микропроцессорные СБИС

— микроконтроллеры

— контроллеры каналов передачи данных

— контроллеры для цифровых сетей передачи данных

— СФ-блоки для СнК;

Маршрут проектирования опирается на современные средства САПР, в основном ф. Cadence. Проектирование ведется с уровня RTL- описания до передачи информации на фабрику. В отделении освоен маршрут проектирования с использованием библиотеки НИИСИ РАН «LIB_NIISI_035», разработана, изготовлена и исследована микросхема 32-разрядного микроконтроллера, спроектированного на этой библиотеке. В настоящее время ведется работа по освоению проектирования на основе библиотеки с минимальным размером элемента 0,18 мкм. Одной из задач ближайшего времени является расширение области деятельности отделения с целью освоения проектирования микросхем, содержащих аналоговые устройства. Работы, проведенные в последние годы:

— Разработка комплекта микросхем для цифровых сетей передачи данных.

— Разработка микроконтроллера – функционального аналога микросхемы 80С186ЕС.

— Разработка адаптера цифровых каналов ввода/вывода информации.

— Разработка микроконтроллера – функционального аналога микросхемы 80386ЕХ.

Отделение по разработке технологии изготовления фотошаблонов (ОРТИФ)

Предприятие единственное в Северо-Западном регионе имеет мощную современную технологическую базу изготовления фотошаблонов, как для контактной, так и для проекционной фотолитографии с размером штриха – 1 мкм. Предприятие ведёт планомерную работу по разработке оптической голографической технологии проекционной фотолитографии, что позволит достигнуть уровня технологии с размером штриха 0,18 мкм.

В настоящее время производится:

— Изготовление промежуточных шаблонов на лазерном генераторе изображения ЭМ-5089А

— тип маскирующего слоя — хром, окись железа;

— минимальный размер элемента 2 мкм,

— размер стекла 102х102, 127х127, 153х153.

Изготовление рабочих шаблонов для контактной и проекционной литографии

— тип маскирующего слоя — хром, оксись железа;

— минимальный размер элемента 1 мкм,

— размер стекла 102х102, 127х127, 153х153.

Изготовление дифракционных оптических элементов и приборов, таких как решётки, лимбы, растровая оптика, камера Нажотта (Горяева), анализаторы крови.

Планарное производство

Планарное производство оснащено технологическим оборудованием, обеспечено энергетикой требуемых кондиций, что позволяет реализовывать изготовление кристаллов следующих видов:

— Биполярные интерфейсные схемы, логические схемы с диодами Шоттки. Биполярные линейные схемы. (Планарно-эпитаксиальная технология. Степень интеграции до 1000 элементов. Минимальный размер элемента — 2 мкм. Задержка на вентиль — менее 10 нс).

— Микросхемы КМОП аналоговых ключей и коммутаторов (КМОП технология на КСДИ структурах. Степень интеграции до 1000 элементов. Минимальный размер элемента — 2 мкм. Сопротивление в замкнутом состоянии до 10 Ом. Быстродействие до 50 нс (коммутаторы) до 10нс (ключи)).

— Микросхемы КМОП аналоговых ключей и коммутаторов устойчивых к воздействию ВВФ (КМОП технология на КСДИ структурах. Радиационно-стойкий технологический процесс. Степень интеграции до 300 элементов. Минимальный размер элемента — 3 мкм. Сопротивление в замкнутом состоянии до 100 Ом. Быстродействие до 500 нс. Стойкость к факторам «И»-6Ус; «К»-3К).

— Специализированные аналого-цифровые БИС (Низкопороговая КМОП технология. Степень интеграции до 10000 элементов. Минимальный размер элемента — 2 мкм. Задержка на вентиль менее — 2 нс).

— СВЧ маломощные транзисторы(Планарно-эпитаксиальная технология. Минимальный размер элемента – 1,5 мкм. Граничная частота до 4,0 ГГц. Коэффициент шума до 2,0 дБ. Рассеиваемая мощность до 225 мВт).
Сборочное производство

Предприятие производит корпусирование микросхем и полупроводниковых приборов в металлокерамические и пластмассовые корпуса с количеством выводов до ~ 150. Сборка микросхем производится с использованием полуавтоматического и автоматического технологического оборудования в помещениях класса частоты 100000. Для производства микросхем и полупроводниковых приборов в соответствии с ОСТ 11 073.013 – 2008 имеется набор оборудования для проведения механических, климатических и электрических испытаний и измерений. Для контроля электрических параметров и функционального контроля таких микросхем как микропроцессоры и контроллеры используется тестер фирмы «HI Level».

Участок испытаний

Контрольно-измерительное и испытательное оборудование участка обеспечивает проведение всех видов испытаний выпускаемой продукции предприятием на соответствие требованиям технических условий.

Участок измерений

Участок оснащен всем необходимым испытательным и контрольно-измерительным оборудованием для проведения всех видов механических, климатических, электрических испытаний по всем категориям, предусмотренным в ОТУ и ТУ на выпускаемые изделия.